100MHz Bipolar RF Transistors | element14 Thailand

ประกาศสำคัญ:

ขณะนี้คลังสินค้ามีปริมาณคำสั่งซื้อสูงกว่าปกติ จึงอาจทำให้การจัดส่งล่าช้ากว่าปกติ. การจัดส่งสินค้าบางรายการอาจล่าช้าออกไป 1–2 วันทำการ. ขอบคุณสำหรับความเข้าใจและการสนับสนุนของท่าน.

ค้นหา 100MHz Bipolar RF Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Bipolar RF Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 8GHz, 100MHz, 10GHz & 25GHz Bipolar RF Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Nexperia & Onsemi

เปรียบเทียบ	หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	รหัสคำสั่งซื้อ	ผู้ผลิต / รายละเอียด	จำนวนสินค้าที่มี	ราคาสำหรับ	ราคา	จำนวน	Transistor Polarity	Collector Emitter Voltage Max	Transition Frequency	Power Dissipation	Continuous Collector Current	Transistor Case Style	No. of Pins	DC Current Gain hFE Min	Transistor Mounting	Operating Temperature Max	Product Range	Qualification

	2PC4081Q-QX	3912133 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor NPN 50 V 100 MHz 200 mW 150 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB4.330 10+THB2.960 100+THB2.460 500+THB1.850 1000+THB1.640 ราคาเพิ่มเติม...		NPN	50V	100MHz	200mW	150mA	SOT-323	3Pins	120hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	BC847BWT1G	1653703 Data Sheet RoHS	ONSEMI Bipolar - RF Transistor NPN 45 V 100 MHz 150 mW 100 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB3.000 50+THB2.430 100+THB1.850 500+THB1.180 1500+THB1.160		NPN	45V	100MHz	150mW	100mA	SOT-323	3Pins	290hFE	Surface Mount	150°C	BCxxx	AEC-Q101
	2PC4081R,115	2575198 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor NPN 50 V 100 MHz 200 mW 150 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB6.390 10+THB3.940 100+THB2.460 500+THB1.790 1000+THB1.590 ราคาเพิ่มเติม...		NPN	50V	100MHz	200mW	150mA	SOT-323	3Pins	390hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	BC857W,115	2575205 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor PNP -45 V 100 MHz 200 mW -100 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB8.740 50+THB3.710 100+THB1.990 500+THB1.550 1500+THB1.360		PNP	-45V	100MHz	200mW	-100mA	SOT-323	3Pins	800hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	BC858W,115	2575206 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor PNP -30 V 100 MHz 200 mW -100 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB8.740 50+THB3.710 100+THB1.990 500+THB1.360 1500+THB1.150		PNP	-30V	100MHz	200mW	-100mA	SOT-323	3Pins	800hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	BC847BPDW1T1G	1653701 Data Sheet RoHS	ONSEMI Bipolar - RF Transistor NPN PNP 45 V 100 MHz 380 mW 100 mA SOT-363		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB4.040 50+THB3.290 100+THB2.530 500+THB1.860 1500+THB1.830		NPN, PNP	45V	100MHz	380mW	100mA	SOT-363	3Pins	200hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	2PC4081R-QX	3912134 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor NPN 50 V 100 MHz 200 mW 150 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB8.410 10+THB4.850 100+THB2.970 500+THB2.130 1000+THB1.860 ราคาเพิ่มเติม...		NPN	50V	100MHz	200mW	150mA	SOT-323	3Pins	180hFE	Surface Mount	150°C	-	-
	BCW61D,215	2575209 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor PNP -32 V 100 MHz 250 mW -100 mA SOT-23		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB9.750 10+THB5.620 100+THB3.440 500+THB2.500 1000+THB2.160 ราคาเพิ่มเติม...		PNP	-32V	100MHz	250mW	-100mA	SOT-23	3Pins	630hFE	Surface Mount	150°C	BCW61	-
	BCV72,215	2575207 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Bipolar - RF Transistor NPN 60 V 100 MHz 250 mW 100 mA SOT-23		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+THB8.490 50+THB4.780 100+THB2.920 500+THB2.100 1500+THB1.870		NPN	60V	100MHz	250mW	100mA	SOT-23	3Pins	450hFE	Surface Mount	150°C	-	-

รายการต่อหน้า:

1-9 จาก 9 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI