SiC MOSFET ที่มี RDSon ต่ำ, การสวิตช์ที่รวดเร็ว, แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตกับซอส 15 V และ 18 V

สวิตช์ด้านต่ำอัจฉริยะ 40 V 1 และ 2 ช่อง มาตรฐาน AEC-Q100

FET แกลเลียม-ไนไตรด์ (GaN) โหมด E 650 V EcoGaN™

เรกูเลเตอร์แรงดันคงที่สำหรับยานยนต์ Nano Cap™, QuiCur™

ตัวแปลง DC/DC บั๊กเดี่ยว อินพุต 7 V ถึง 76 V พร้อม MOSFET ด้านสูง 5 A ในตัว

MOSFET ชนิด N-channel ขับเกต 0.9 V เหมาะสำหรับการประหยัดไฟโดยใช้กระแสไฟต่ำ

ไดโอดสวิตชิ่งความเร็วสูง 80 V, 100 mA b

แรงดันพังทลายสูง ใช้พลังงานต่ำ และการสวิตช์ความเร็วสูงที่ไม่มีในอุปกรณ์ซิลิคอนแบบดั้งเดิม SiC MOSFET 1700 V/3.7 A, 1200 V/10 A ถึง 40 A, 650 V/29 A และ SiC SBD 1200 V/5 A ถึง 40 A, 650 V/6 A ถึง 40 A

มีฟังก์ชันตัวแปร VREF ที่ทำให้ใช้พลังงานต่ำ และมีประสิทธิภาพสูงขึ้น นอกจากนี้ วงจรป้องกันในตัวหลายวงจร (เช่น การปิดเครื่องเมื่อเกิดความร้อน, การป้องกันกระแสไฟฟ้าเกิน, การป้องกันแรงดันไฟสูงเกิน) จะช่วยปกป้องวงจรรวม (IC) และโหลดจากความเสียหาย พร้อมทั้งให้ความน่าเชื่อถือสูง รองรับอินพุตสัญญาณ PWM (สูงสุด 100 kHz) 7 V: ซีรีส์ BD621x 18 V: ซีรีส์ BD622x 36 V: ซีรีส์ BD623x

LED ซีรีส์ PICOLED™ ที่มีขนาดกะทัดรัดพิเศษชั้นนำในอุตสาหกรรม (ขนาด 1006, t=0.2 มม.) ซึ่งออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์พกพา เช่น สมาร์ทโฟนและเทคโนโลยีแบบสวมใส่ ซีรีย์ EXCELED มาตรฐานที่มีความสว่างและความน่าเชื่อถือสูง ใช้งานได้ด้วยเทคโนโลยีของอุปกรณ์ดั้งเดิม

EEPROM แบบอนุกรมของ ROHM เป็นหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนที่ออกแบบมาสำหรับการเก็บรักษาข้อมูล มีอินเทอร์เฟซ ประเภทแพ็คเกจ และความจุต่างๆ ให้เลือก

ตัวขับ LCD จาก ROHM เหมาะสำหรับการแสดงผลขนาดเล็ก เหมาะสำหรับจอแสดงผลตั้งแต่ 48 ถึง 528 ส่วน รวมถึงมีจำหน่ายแบบตรงตามข้อกำหนด AEC-Q

BD9G101G คือสวิตช์ชิ่งเร็กกูเลเตอร์ที่มี MOSFET กำลังในด้านสูง 42 V ภายในแบบในตัว ให้เอาต์พุต DC 0.5 A ในแพ็คเกจ SOT-23 ขนาดเล็ก