Semiconductors - Discretes | element14 Thailand

Diode Modules

Diode Modules (300)

Diodes & Rectifiers

Diodes & Rectifiers (16,082)

FETs

FETs (14,776)

IGBTs

IGBTs (1,723)

Intelligent Power Modules

Intelligent Power Modules (172)

Semiconductor Assortments

Semiconductor Assortments (24)

Thyristors

Thyristors (1,420)

Transistors

Transistors (5,797)

Wide-Band Gap Devices

Wide-Band Gap Devices (1,983)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI

TTV Eps 6

ค้นพบสุดยอดแนวคิด/กูรูด้านเทคโนโลยี – ซีซั่น 2

เทคโนโลยีเมืองอัจฉริยะ การออกแบบมหานครแห่งอนาคต

TOSHIBA

โมดูลกำลัง SiC กระแส 600A สำหรับการสวิตชิ่งประสิทธิภาพสูง

โมดูลกำลัง SiC กระแส 600A สำหรับการสวิตชิ่งประสิทธิภาพสูง

ส่วนลด 15% สำหรับการสั่งซื้อออนไลน์ตั้งแต่ 5,000 บาทขึ้นไป

ส่วนลด 15% สำหรับการสั่งซื้อออนไลน์ตั้งแต่ 5,000 บาทขึ้นไป

เป็นไปตามข้อกำหนดและเงื่อนไข

Ahead of What’s Possible™

ANALOG DEVICES

ก้าวนำอนาคตแห่งความเป็นไปได้