Bipolar Transistors | element14 Thailand

Bipolar Junction Transistor Arrays - BJT

Bipolar Junction Transistor Arrays - BJT (459)

Bipolar RF Power Transistors

Bipolar RF Power Transistors (1)

Bipolar RF Transistors

Bipolar RF Transistors (159)

Pre-Biased / Digital Bipolar Transistors

Pre-Biased / Digital Bipolar Transistors (1,462)

Single Bipolar Junction Transistors - BJT

Single Bipolar Junction Transistors - BJT (3,558)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI

TTV Eps 6

ค้นพบสุดยอดแนวคิด/กูรูด้านเทคโนโลยี – ซีซั่น 2

เทคโนโลยีเมืองอัจฉริยะ การออกแบบมหานครแห่งอนาคต

NEXPERIA

ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันชนิด NPN และ PNP

ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันชนิด NPN และ PNP

15% OFF online orders Over S$250

15% OFF online orders Over S$250

Smarter solutions for opto & digital isolation start here

TOSHIBA

โซลูชันที่ชาญฉลาดยิ่งขึ้นสำหรับการแยกสัญญาณแบบออปโตและดิจิทัลเริ่มต้นที่นี่