Wide-Band Gap Devices | element14 Thailand

Gallium Nitride (GaN) FETs

Gallium Nitride (GaN) FETs (193)

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules (1,172)

Silicon Carbide Schottky Diodes

Silicon Carbide Schottky Diodes (593)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI

TTV Eps 5

ค้นพบสุดยอดแนวคิด/กูรูด้านเทคโนโลยี – ซีซั่น 2

สร้างสมดุลงาน เทคโนโลยี และการใช้ชีวิต

ANALOG DEVICES

LTC4413: ตัวควบคุม Smart PowerPath™ เพื่อการสลับระหว่างแหล่งพลังงานหลายแหล่งได้อย่างราบรื่น

LTC4413: ตัวควบคุม Smart PowerPath™ เพื่อการสลับระหว่างแหล่งพลังงานหลายแหล่งได้อย่างราบรื่น

15% OFF online orders Over S$250

15% OFF online orders Over S$250

smart-transport

ขับเคลื่อนโซลูชันการขนส่งอัจฉริยะ