พิมพ์หน้า
2N3500
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 300 mA, 5 W, TO-39, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSOLID STATE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต2N3500สำเนา
รหัสสินค้า1862982
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max150V
Continuous Collector Current300mA
Power Dissipation5W
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency150MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The 2N3500 is a 150V NPN silicon planar RF Transistor capable of 5W power dissipation and 300mA continuous collector current.
- 150V Collector to base voltage
- 6V Emitter to base voltage
- 35°C/W Thermal resistance, junction to case
การใช้งาน
RF Communications
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
300mA
Transistor Case Style
TO-39
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
150V
Power Dissipation
5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
150MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001044