พิมพ์หน้า
SCT4062KWATL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSCT4062KWATLสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4365769RL
เทปตัด4365769
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
90 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
90 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB407.140 | THB407.14 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB407.14 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB407.140 |
| 5+ | THB344.830 |
| 10+ | THB282.520 |
| 50+ | THB253.470 |
| 100+ | THB224.410 |
| 250+ | THB219.930 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSCT4062KWATLสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4365769RL
เทปตัด4365769
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.081ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
SCT4062KWATL is a Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. It has about 40% reduction in on-resistance and about 50% reduction in switching loss compared to conventional products. The 15V gate-source voltage makes application design easier. Typical applications include solar inverters, DC/DC converters, switch-mode power supplies, induction heating, and motor drives.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Fast reverse recovery, easy to parallel, simple to drive
- Wide creepage distance = min 4.7mm
- Drain - source breakdown voltage is 1200V min at VGS = 0V, ID = 5.3mA, Tvj = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 10μA typ at Tvj = 150°C
- Gate threshold voltage is 4.8V max at VDS = 10V, ID = 6.45mA
- Static drain - source on - state resistance is 62mohm typ at Tvj = 25°C
- Gate input resistance is 4ohm typ at f = 1MHz, open drain
- Range of storage temperature: -40 to +175°C
- TO-263 package
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.081ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
93W
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.01