พิมพ์หน้า
RS6G120BGTB1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตRS6G120BGTB1
รหัสสินค้า4158101
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
55 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
55 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB141.860 |
| 10+ | THB94.030 |
| 100+ | THB66.510 |
| 500+ | THB60.940 |
| 1000+ | THB57.660 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB141.86
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตRS6G120BGTB1
รหัสสินค้า4158101
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance1340µohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1340µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001