พิมพ์หน้า
R6055XNJ2TRDC
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 55 A, 0.069 ohm, MO-299, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB307.620 |
| 10+ | THB186.410 |
| 100+ | THB155.550 |
| 500+ | THB137.390 |
| 1000+ | THB132.060 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB307.62
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตR6055XNJ2TRDCสำเนา
รหัสสินค้า5109830
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleMO-299
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation521W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
MO-299
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
521W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00075