พิมพ์หน้า
GNP2070TD-ZTR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGNP2070TD-ZTRสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต27 สัปดาห์
รหัสสินค้า4633526
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
383 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
383 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB445.490 |
| 5+ | THB378.020 |
| 10+ | THB310.550 |
| 50+ | THB280.900 |
| 100+ | THB263.760 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB445.49
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGNP2070TD-ZTRสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต27 สัปดาห์
รหัสสินค้า4633526
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
GNP2070TD-ZTR is a EcoGaN™, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT. It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. The ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Typical applications include high switching frequency converter, high density converter.
- Continuous drain to source voltage is 650V
- Transient drain to source voltage is 800V
- Continuous drain current is 26.6A at Tc = 25°C
- Pulse drain current is 53.2A at Tc = 25°C
- Gate threshold voltage is 1.5V typ at VDS = 50mV, ID = 18mA
- Static drain to source on state resistance is 73mohm typ at VGS = 5.0V, ID = 8A, Tj = 25°C
- Total gate charge is 4.7nC typ at VDS = 400V, ID = 8A, VGS = 6V / 0V
- Power dissipation is 159W at Tc = 25°C
- TOLL-8N package
- Operation temperature range from -55 to 150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Case Style
TOLL
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
27A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001