พิมพ์หน้า
BSM180C12P3C202
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 180 A, 1.2 kV, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSM180C12P3C202สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต32 สัปดาห์
รหัสสินค้า3573219
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
8 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
8 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB22,623.850 |
| 5+ | THB20,361.470 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB22,623.85
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSM180C12P3C202สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต32 สัปดาห์
รหัสสินค้า3573219
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation880W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
BSM180C12P3C202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 10µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 30ns typ switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V, VDS=600V, RG=3.9ohm inductive load)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
880W
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.28