พิมพ์หน้า
AG043FGS4FRATCB
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 40 A, 0.0113 ohm, HPLF5060T5LSAH, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB58.390 |
| 10+ | THB30.430 |
| 100+ | THB26.120 |
| 500+ | THB21.130 |
| 1000+ | THB18.150 |
| 5000+ | THB17.640 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB58.39
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตAG043FGS4FRATCBสำเนา
รหัสสินค้า5116104
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0113ohm
Transistor Case StyleHPLF5060T5LSAH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation34W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
HPLF5060T5LSAH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0113ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001