พิมพ์หน้า
SNXH800H120L7QDSG
IGBT Module, Half Bridge, 800 A, 1.65 V, 175 °C, PIM
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSNXH800H120L7QDSG
รหัสสินค้า4750182
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB6,347.260 |
| 5+ | THB6,220.320 |
| 10+ | THB6,202.080 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB6,347.26
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSNXH800H120L7QDSG
รหัสสินค้า4750182
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current800A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
800A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001