800A IGBT Modules | element14 Thailand

ค้นหา 800A IGBT Modules มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ IGBT Modules ไว้หลากหลาย เช่น 100A, 50A, 75A & 600A IGBT Modules จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Infineon, Starpower & Onsemi

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(6)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(8)

1-2 วัน(6)

ใหม่ - 180 Dagar(3)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(8)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Collector Current

:

800A

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	GD800SGX170C3S	3912081 Data Sheet RoHS	STARPOWER IGBT Module Dual Common Emitter Common Gate 800 A 2.3 V 5.75 kW 150 °C		Each	1+ THB9,826.700	ทั้งหมด:THB9,826.70 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Dual Common Emitter Common Gate	800A	2.3V	5.75kW	150°C	-	Tab	1.7kV	Trench Field Stop	Panel	-
	SNXH800H120L7QDSG	4750182 Data Sheet RoHS	ONSEMI IGBT Module Half Bridge 800 A 1.65 V 175 °C PIM		Each	1+ THB7,907.710 5+ THB7,323.710 10+ THB6,739.710	ทั้งหมด:THB7,907.71 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Half Bridge	800A	1.65V	-	175°C	PIM	Solder Pin	1.2kV	IGBT 7 [Trench/Field Stop]	Panel	-
	FF800R12KE7EHPSA1	4228380 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT Module Dual [Half Bridge] 800 A 1.75 V 175 °C Module		Each	1+ THB5,653.740 5+ THB5,433.250 10+ THB5,282.610	ทั้งหมด:THB5,653.74 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Dual [Half Bridge]	800A	1.75V	-	175°C	Module	Screw	1.2kV	IGBT 7	Panel	-
	FF800R12KE7HPSA1	4228379 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT Module Dual [Half Bridge] 800 A 1.75 V 175 °C Module		Each	1+ THB5,371.170 5+ THB5,354.100 10+ THB5,337.020	ทั้งหมด:THB5,371.17 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Dual [Half Bridge]	800A	1.75V	-	175°C	Module	Screw	1.2kV	IGBT 7	Panel	-
	FF900R17ME7WB11BPSA1	4351780 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT Module Dual 800 A 1.67 V 20 mW 175 °C Module		Each	1+ THB15,515.900 5+ THB13,418.270	ทั้งหมด:THB15,515.90 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Dual	800A	1.67V	20mW	175°C	Module	Press Fit	1.7kV	IGBT7 [Trench Stop]	Panel	EconoDUAL 3 Series
	FF800R12KE7DHPSA1	4756183 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT Module Half Bridge 800 A 1.5 V 175 °C Module		Each	1+ THB7,487.190 5+ THB6,934.220 10+ THB6,381.250	ทั้งหมด:THB7,487.19 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Half Bridge	800A	1.5V	-	175°C	Module	Screw	1.2kV	IGBT 7 [Trench]	Panel	62 mm C Series
	GD800HFX170C3S	3912084 Data Sheet RoHS	STARPOWER IGBT Module Half Bridge 800 A 1.85 V 150 °C Module		Each	1+ THB15,378.840 5+ THB14,498.000	ทั้งหมด:THB15,378.84 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Half Bridge	800A	1.85V	-	150°C	Module	Stud	1.7kV	Trench	Panel	-
	FF800R12KE7DS8HPSA1	4792736 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT Module Half Bridge 800 A 1.5 V 175 °C Module		Each	1+ THB7,739.130 5+ THB7,167.490 10+ THB6,595.840	ทั้งหมด:THB7,739.13 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Half Bridge	800A	1.5V	-	175°C	Module	Screw	1.2kV	IGBT 7 [Trench]	Panel	C Series

รายการต่อหน้า:

1-8 จาก 8 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI