พิมพ์หน้า
NST856MTWFTBG
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNST856MTWFTBGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต10 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4583066RL
เทปตัด4583066
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
3,000 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
3,000 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB17.800 | THB89.00 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB89.00 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB17.800 |
| 10+ | THB10.920 |
| 100+ | THB6.930 |
| 500+ | THB6.800 |
| 1000+ | THB6.660 |
| 5000+ | THB6.520 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNST856MTWFTBGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต10 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4583066RL
เทปตัด4583066
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max65V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation650mW
Transistor Case StyleXDFNW
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min220hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
NST856MTWFTBG is a PNP, 65V, 100mA general purpose transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in an ultra−compact DFN1010−3 with wettable flanks, recommended for the automotive industry’s optical inspection methods. The transistor is ideal for low−power surface mount applications where board space and reliability are at a premium.
- Total power dissipation per device at TA = 25°C is 570mW
- Junction temperature range from −65 to +150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
XDFNW
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
220hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Collector Emitter Voltage Max
65V
Power Dissipation
650mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001