พิมพ์หน้า
BUV22G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 40 A, 250 W, TO-3, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUV22Gสำเนา
รหัสสินค้า1611322
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current40A
Power Dissipation250W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency8MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BUV22G is an NPN Silicon Power Transistor designed for high-speed, high-current and high-power applications.
- High DC current gain
- Very fast switching times
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
40A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
250W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
8MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001