พิมพ์หน้า
2N4919G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต2N4919G.สำเนา
รหัสสินค้า1653599
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation30W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ 2N4919G.
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
30W
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.34