พิมพ์หน้า
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJE210Gสำเนา
รหัสสินค้า2535635
Product RangeMJxxxx
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation15W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MJE210G is a PNP complementary silicon Power Transistor designed for low voltage, low-power and high-gain audio amplifier applications. The device offers high DC current gain and low collector to emitter saturation voltage.
- High current-gain-bandwidth product
- Annular construction for low leakage
- 40VDC Collector-emitter voltage
- 25VDC Collector-base voltage
- 8VDC Emitter-base voltage
- 5A Continuous collector current
การใช้งาน
Industrial, Audio, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
MJxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
15W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน6
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00068