พิมพ์หน้า
MJE182G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJE182Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า2535633
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
11,520 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
11,520 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB41.670 |
| 10+ | THB26.210 |
| 100+ | THB17.280 |
| 500+ | THB16.940 |
| 1000+ | THB16.590 |
| 5000+ | THB16.250 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB41.67
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJE182Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า2535633
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation1.5W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min12hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MJE182G is a 80V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The MJE172 (PNP) and MJE182 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- High current-gain - bandwidth
- Annular construction for low leakages
- Epoxy meets UL94V-0 flammability rating
- 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 7V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6A Peak collector current
- 1ADC Base current (IB)
- 10°C/W Thermal resistance, junction to case
- 83.4°C/W Thermal resistance, junction to ambient
การใช้งาน
Power Management, Audio, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
1.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน6
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000726