พิมพ์หน้า
MJD243T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJD243T4Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต12 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2441276
ม้วนตัดแบ่ง2533324RL
เทปตัด2533324
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,071 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,071 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB20.370 | THB101.85 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB101.85 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB20.370 |
| 50+ | THB17.260 |
| 100+ | THB14.150 |
| 500+ | THB11.570 |
| 1000+ | THB10.790 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 2500+ | THB8.700 |
| 7500+ | THB8.530 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJD243T4Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต12 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2441276
ม้วนตัดแบ่ง2533324RL
เทปตัด2533324
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MJD243T4G is a 4A NPN bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications.
- High current-gain - bandwidth product (fT = 40MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Automotive, Audio
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ MJD243T4G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001101