พิมพ์หน้า
MJB44H11G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJB44H11Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า2535625
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB68.870 |
| 10+ | THB33.260 |
| 100+ | THB26.750 |
| 500+ | THB26.220 |
| 1000+ | THB25.680 |
| 5000+ | THB25.150 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB68.87
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJB44H11Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า2535625
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation50W
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- ESD rating - 3B <gt/> 8000V human body model, C <gt/> 400V machine model
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 7.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
50W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ MJB44H11G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00229