พิมพ์หน้า
BUL45D2G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUL45D2Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2845300
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 54 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB96.760 |
| 10+ | THB74.250 |
| 100+ | THB70.550 |
| 500+ | THB56.450 |
| 1000+ | THB52.080 |
| 5000+ | THB51.040 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB96.76
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUL45D2Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2845300
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation75W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency13MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BUL45D2G is a NPN state-of-art high speed high gain Bipolar Power Transistor (H2BIP) with high dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread 150ns on storage time makes it ideally suitable for light ballast applications. It offers extremely low storage time minimum/maximum guarantees due to the H2BIP structure which minimizes the spread.
- Low base drive requirement
- Integrated collector-emitter free wheeling diode
- Fully characterized and guaranteed dynamic VCE(sat)
- 6 Sigma process providing tight and reproducible parameter spreads
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
75W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
13MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001