พิมพ์หน้า
2N4918G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต2N4918Gสำเนา
รหัสสินค้า2825076
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation30W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
ตัวเลือกสำหรับ 2N4918G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
บันทึก
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
30W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
เอกสารทางเทคนิค (4)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0004