BD442
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 4 A, 36 W, TO-225, Through Hole
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB25.990 |
| 10+ | THB16.570 |
| 100+ | THB11.110 |
| 500+ | THB8.270 |
| 1000+ | THB7.160 |
| 5000+ | THB5.870 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BD442 is a high-performance PNP silicon power transistor designed for use in high-current and high-voltage applications. Its robust characteristics make it well-suited for power amplifiers, motor drivers, and switching regulators, offering reliable performance in demanding electronic circuits. The BD442 transistor is a versatile and durable component, making it a suitable choice for a wide range of high-power applications. Its reliable performance and robust design make it a valuable addition to any electronic system.
- Collector-Emitter Voltage (Vceo): 80V
- Collector-Base Voltage (Vcbo): 80V
- Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
- Collector Current (Ic): 8A
- Base Current (Ib): 1.5A
- Power Dissipation (Pd): 60W
- DC Current Gain (hFE): 30-150 at Ic = 4A, Vce = 5V
- Package Type: TO-220
- Pin Configuration: 3 Pins (Collector, Base, Emitter)
- Mounting Style: Through-Hole
- Junction Temperature (Tj): -65°C to +150°C
- Thermal Resistance, Junction to Case (RθJC): 2.08°C/W
การใช้งาน
Audio, Power Supplies, DC/DC Converters, Motor Drive & Control, Signal Processing
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
PNP
4A
TO-225
3Pins
40hFE
Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
-
80V
36W
Through Hole
3MHz
150°C
-
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ BD442
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์