พิมพ์หน้า
BD232
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMAGNATEC
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBD232
รหัสสินค้า1208611
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMAGNATEC
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBD232
รหัสสินค้า1208611
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max300V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-126
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BD232 is a NPN silicon medium-power Bipolar Transistor for power output stages and line driver in television receivers.
- -55 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Power Management, RF Communications, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
500mA
Transistor Case Style
TO-126
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Great Britain
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Great Britain
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00064