พิมพ์หน้า
BFP540FESDH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBFP540FESDH6327XTSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2480670RL
เทปตัด2480670
เป็นที่รู้จักกันในชื่อBFP 540FESD H6327, SP000745300
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 52 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB16.880 | THB16.88 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB16.88 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB16.880 |
| 10+ | THB12.090 |
| 100+ | THB11.690 |
| 500+ | THB11.150 |
| 1000+ | THB10.670 |
| 5000+ | THB10.130 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBFP540FESDH6327XTSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2480670RL
เทปตัด2480670
เป็นที่รู้จักกันในชื่อBFP 540FESD H6327, SP000745300
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency30GHz
Power Dissipation250mW
Continuous Collector Current80mA
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min50hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BFP 540FESD H6327 is a low-noise Silicon Bipolar RF Transistor designed for high gain low-noise amplifier applications.
- Excellent ESD performance
- Halogen-free
การใช้งาน
Industrial, RF Communications, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
30GHz
Continuous Collector Current
80mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
250mW
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000008