พิมพ์หน้า
MMDT5451-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMMDT5451-7-F
รหัสสินค้า1773648
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,414 ในสต็อก
3,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
25 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
1389 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB11.280 |
| 10+ | THB6.870 |
| 100+ | THB4.320 |
| 500+ | THB3.100 |
| 1000+ | THB2.260 |
| 5000+ | THB1.800 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB56.40
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMMDT5451-7-F
รหัสสินค้า1773648
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP160V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP80hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP300MHz
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MMDT5451-7-F is a NPN-PNP complementary small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Complementary pair (5551 - NPN and 5401 - PNP)
การใช้งาน
Aerospace, Defence, Military, Power Management, Industrial
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
160V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
80hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
300MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000006