พิมพ์หน้า
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB30.330 | THB151.65 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB151.65 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB30.330 |
| 10+ | THB21.560 |
| 100+ | THB15.430 |
| 500+ | THB10.630 |
| 1000+ | THB8.930 |
| 5000+ | THB6.970 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPBSS4330PASXสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2628126RL
เทปตัด2628126
Product RangePBSS
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation600mW
Transistor Case StyleDFN2020D
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency210MHz
DC Current Gain hFE Min180hFE
Operating Temperature Max175°C
Product RangePBSS
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
PBSS4330PASX is a NPN low VCEsat transistor. This NPN low VCEsat transistor encapsulated in an ultra-thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and solderable side pads. Typical applications include loadswitch, battery-driven devices, power management, charging circuits, and power switches (e.g. motors, fans).
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat, high collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC, high efficiency due to less heat generation
- Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements, high temperature applications up to 175°C
- Leadless small SMD plastic package with soldarable side pads
- Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
- Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of the solder joint
- DC current gain is 465 typ at VCE = 2V; IC = 0.5A; pulsed; tp ≤ 300µs; δ ≤ 0.02; Tamb = 25°C
- Transition frequency is 210MHz typ at VCE = 5V; IC = 100mA; f = 100MHz;Tamb = 25°C
- DFN2020D-3 package
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
DFN2020D
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
180hFE
Product Range
PBSS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
600mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
210MHz
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000004

