FETs | element14 Thailand

Dual MOSFETs

Dual MOSFETs (2,551)

Gallium Nitride (GaN) FETs

Gallium Nitride (GaN) FETs (307)

JFETs

JFETs (175)

MOSFET Modules

MOSFET Modules (91)

Miscellaneous MOSFETs

Miscellaneous MOSFETs (11)

RF FETs

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules (1,338)

Single MOSFETs

Single MOSFETs (19,174)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI

TTV Eps 1

ค้นพบสุดยอดแนวคิด/กูรูด้านเทคโนโลยี – ซีซั่น 2

เทคโนโลยีที่ยั่งยืน: นวัตกรรมเพื่อโลกสีเขียว

TOSHIBA

MOSFET กำลัง - MOSFET ซิลิคอน N-channel MOS (U-MOS�-H)

MOSFET กำลัง - MOSFET ซิลิคอน N-channel MOS (U-MOS�-H)

15% OFF online orders Over S$250

15% OFF online orders Over S$250

smart-transport

ขับเคลื่อนโซลูชันการขนส่งอัจฉริยะ