โมดูลกำลัง MOSFET CoolSiC™ ของ Infineon ช่วยเปิดโอกาสให้นักออกแบบอินเวอร์เตอร์สามารถสร้างระบบที่มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นกำลังในระดับยอดเยี่ยม โมดูล EasyPACK™ 1C และ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT แบบสี่ชุดและสามระดับ เป็นอุปกรณ์แรงดัน 1,200 V ขนาด 8 mΩ และ 13 mΩ ที่มาพร้อมเซนเซอร์อุณหภูมิ NTC วัสดุเชื่อมต่อความร้อน Thermal Interface Material 2.0 ที่ติดตั้งมาให้ล่วงหน้า และเทคโนโลยีหน้าสัมผัส PressFIT สำหรับกระแสสูง
คุณสมบัติ
คุณสมบัติ
- แนวคิดการออกแบบแพ็กเกจที่ได้รับการปรับปรุง
- เทคโนโลยีการเชื่อมต่อ .XT
- เทคโนโลยีชิป CoolSiC M2
- ขาเชื่อมต่อ PressFIT สำหรับกระแสสูง
- เซนเซอร์วัดอุณหภูมิ NTC แบบรวมในตัว
- สภาวะโอเวอร์โหลด: • TVJ สูงสุดเพิ่มขึ้นถึง +200°C
- ช่วงแรงดันเกต-ซอร์สที่กว้างขึ้น
- วัสดุเชื่อมต่อความร้อน (TIM) 2.0
ประโยชน์
- ประสิทธิภาพของโมดูลที่โดดเด่น
- เพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมของระบบ
- อายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น
- ความสามารถในการทนต่ออุณหภูมิสูง
- ลดการสูญเสียพลังงานแบบคงที่
- การออกแบบที่กะทัดรัด
- รองรับการใช้งานร่วมกับ EasyPACK™ B-series ได้อย่างสมบูรณ์
การใช้งาน
ตัวแปลงบูสต์ DC-DC สำหรับระบบเซลล์เชื้อเพลิง
