65V RF FETs | element14 Thailand

ค้นหา 65V RF FETs มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ RF FETs ไว้หลากหลาย เช่น 40V, 500V, 7V & 5V RF FETs จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Nxp & Stmicroelectronics

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(5)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(5)

1-2 วัน(5)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(7)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Drain Source Voltage Vds

:

65V

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	PD57060S-E	2807340 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS RF FET Transistor 65 V 7 A 79 W 945 MHz PowerSO-10RF		Each	1+ THB1,831.630 5+ THB1,787.050	ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	65V	7A	79W	-	945MHz	PowerSO-10RF	3Pins	165°C	N Channel	Flange	-
	AFT27S006NT1	2890593 Data Sheet RoHS	NXP RF FET Transistor 65 V 728 MHz 3700 MHz PLD-1.5W		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB633.420 5+ THB552.980 10+ THB472.530 50+ THB472.210 100+ THB420.140 ราคาเพิ่มเติม...	ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	65V	-	-	728MHz	3700MHz	PLD-1.5W	2Pins	150°C	N Channel	Surface Mount	AFT27S006N
	AFT20S015GNR1	2890592 Data Sheet RoHS	NXP RF FET Transistor 65 V 11 W 1.805 GHz 2.7 GHz TO-270G		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB1,589.280 5+ THB1,445.820 10+ THB1,302.360 50+ THB1,230.680 100+ THB1,151.930	ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	65V	-	11W	1.805GHz	2.7GHz	TO-270G	2Pins	150°C	N Channel	Surface Mount	AFT20S015GN
	AFT20S015GNR1	2890592RL Data Sheet RoHS	NXP RF FET Transistor 65 V 11 W 1.805 GHz 2.7 GHz TO-270G		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	10+ THB1,302.360 50+ THB1,230.680 100+ THB1,151.930	ขั้นต่ำ: 10 / จำนวนมาก: 1	65V	-	11W	1.805GHz	2.7GHz	TO-270G	2Pins	150°C	N Channel	Surface Mount	AFT20S015GN
	AFT27S006NT1	2890593RL Data Sheet RoHS	NXP RF FET Transistor 65 V 728 MHz 3700 MHz PLD-1.5W		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	10+ THB472.530 50+ THB472.210 100+ THB420.140 250+ THB419.930	ขั้นต่ำ: 10 / จำนวนมาก: 1	65V	-	-	728MHz	3700MHz	PLD-1.5W	2Pins	150°C	N Channel	Surface Mount	AFT27S006N
	PD57006-E	1293688 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS RF FET Transistor 65 V 1 A 20 W 925 MHz 960 MHz PowerSO-10RF		Each	1+ THB417.090 5+ THB353.570 10+ THB290.060 50+ THB284.490 100+ THB278.920 ราคาเพิ่มเติม...	ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	65V	1A	20W	-	-	PowerSO-10RF	-	165°C	N Channel	Surface Mount	-
	PD57006	8185093 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET N RF 6W 960MHZ		Each	1+ THB275.750 5+ THB233.760 10+ THB191.760 50+ THB188.080 100+ THB184.400 ราคาเพิ่มเติม...	ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	65V	1A	6W	-	-	PowerSO-10RF	-	150°C	N Channel	Surface Mount	-

รายการต่อหน้า:

1-7 จาก 7 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI