1A RF FETs | element14 Thailand

ค้นหา 1A RF FETs มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ RF FETs ไว้หลากหลาย เช่น 1A, 2.5A, 4A & 40A RF FETs จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Stmicroelectronics & Broadcom

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(0)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(0)

1-2 วัน(0)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(4)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Drain Current Id

:

1A

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	PD57006-E	1293688 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS RF FET Transistor 65 V 1 A 20 W 925 MHz 960 MHz PowerSO-10RF		Each	1+ THB378.040 5+ THB357.810 10+ THB337.570 50+ THB317.330 100+ THB297.090 ราคาเพิ่มเติม...		65V	1A	20W	PowerSO-10RF	-	165°C	N Channel	Surface Mount
	ATF-50189-BLK	1347225 Data Sheet RoHS	BROADCOM RF FET Transistor High Linearity 7 V 1 A 2.25 W 400 MHz 3.9 GHz SOT-89		Each	1+ THB221.660 10+ THB188.380 100+ THB182.450 500+ THB168.010 1000+ THB155.630		7V	1A	2.25W	SOT-89	4Pins	150°C	-	Surface Mount
	PD57006	8185093 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET N RF 6W 960MHZ		Each	1+ THB249.930 5+ THB236.550 10+ THB223.170 50+ THB209.790 100+ THB196.410 ราคาเพิ่มเติม...		65V	1A	6W	PowerSO-10RF	-	150°C	N Channel	Surface Mount
	ATF-511P8-BLK	1347228 Data Sheet RoHS	BROADCOM RF FET Transistor 7 V 1 A 3 W 50 MHz 6 GHz LPCC		Each	1+ THB226.130 10+ THB192.170 100+ THB186.120 500+ THB171.390 1000+ THB158.760		7V	1A	3W	LPCC	8Pins	150°C	-	Surface Mount

รายการต่อหน้า:

1-4 จาก 4 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI