พิมพ์หน้า
XP6677GH
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตYAGEO XSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตXP6677GHสำเนา
รหัสสินค้า4168967
Product RangeXP6677 Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตYAGEO XSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตXP6677GHสำเนา
รหัสสินค้า4168967
Product RangeXP6677 Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP6677 Series
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP6677 Series
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001