พิมพ์หน้า
C3M0016120K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
1,337 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,337 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB3,077.180 |
| 5+ | THB2,769.460 |
| 10+ | THB2,605.350 |
| 50+ | THB2,420.710 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB3,077.18
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตWOLFSPEED
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตC3M0016120Kสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า3212276
Product RangeC3M
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
115A
Drain Source On State Resistance
0.0223ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
556W
Product Range
C3M
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ C3M0016120K
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.008673