พิมพ์หน้า
VS-3C08EV07T-M3/I
Silicon Carbide Schottky Diode, eSMP Series, Single, 650 V, 8 A, 22 nC, SlimDPAK
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVS-3C08EV07T-M3/Iสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4486779RL
เทปตัด4486779
Product RangeeSMP Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,472 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4,472 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB136.390 | THB136.39 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB136.39 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB136.390 |
| 10+ | THB89.360 |
| 100+ | THB63.830 |
| 500+ | THB52.750 |
| 1000+ | THB52.280 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVS-3C08EV07T-M3/Iสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4486779RL
เทปตัด4486779
Product RangeeSMP Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Product RangeeSMP Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge22nC
Diode Case StyleSlimDPAK
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
VS-3C08EV07T-M3/I is a 650V, 8A Gen 3 power SiC merged PIN schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behaviour. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Creepage and clearance distance of 2.8mm minimum
- Very low profile – typical height of 1.3mm
- Majority carrier diode using schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behaviour
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 2 whisker test
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Product Range
eSMP Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
22nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
SlimDPAK
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0002