พิมพ์หน้า
SQUN702E-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, N Channel, 200 V, 200 V, 30 A, 30 A, 7700 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQUN702E-T1_GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต4 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3128862RL
เทปตัด3128862
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 4 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB136.930 | THB136.93 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB136.93 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB136.930 |
| 10+ | THB96.350 |
| 100+ | THB77.740 |
| 500+ | THB70.440 |
| 1000+ | THB64.210 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQUN702E-T1_GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต4 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3128862RL
เทปตัด3128862
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel200V
Drain Source Voltage Vds P Channel200V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel7700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7700µohm
Transistor Case Style-
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
200V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
7700µohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
200V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7700µohm
Transistor Case Style
-
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:0
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000242