พิมพ์หน้า
SQ2351ES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.2 A, 0.115 ohm, SOT-23, Surface Mount
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQ2351ES-T1_GE3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3470723RL
เทปตัด3470723
Product RangeTrenchFET
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
ตัวเลือกสำหรับ SQ2351ES-T1_GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
To Be Advised
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000002