พิมพ์หน้า
SIZ998BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ998BDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต4 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3462762RL
เทปตัด3462762
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,894 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,894 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB66.310 | THB66.31 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB66.31 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB66.310 |
| 10+ | THB31.830 |
| 100+ | THB28.460 |
| 500+ | THB22.530 |
| 1000+ | THB18.160 |
| 5000+ | THB16.590 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ998BDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต4 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3462762RL
เทปตัด3462762
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel94.6A
Continuous Drain Current Id P Channel94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1800µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
1800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SIZ998BDT-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001