พิมพ์หน้า
SIZ980BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ980BDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต26 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3368951RL
เทปตัด3368951
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,715 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4,715 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB52.050 | THB52.05 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB52.05 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB52.050 |
| 10+ | THB42.720 |
| 100+ | THB33.230 |
| 500+ | THB29.620 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ980BDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต26 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3368951RL
เทปตัด3368951
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel197A
Continuous Drain Current Id P Channel197A
Drain Source On State Resistance N Channel817µohm
Drain Source On State Resistance P Channel817µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel66W
Power Dissipation P Channel66W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
197A
Drain Source On State Resistance P Channel
817µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
66W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
197A
Drain Source On State Resistance N Channel
817µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001