พิมพ์หน้า
SIZ342DDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 33.6 A, 9200 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ342DDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4541165RL
เทปตัด4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
6,000 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
6,000 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB29.100 | THB29.10 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB29.10 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB29.100 |
| 10+ | THB19.040 |
| 100+ | THB13.050 |
| 500+ | THB10.460 |
| 1000+ | THB9.370 |
| 5000+ | THB9.180 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIZ342DDT-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4541165RL
เทปตัด4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel33.6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
33.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
9200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001