พิมพ์หน้า
SISB46DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSISB46DN-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3470680RL
เทปตัด3470680
Product RangeTrenchFET IV Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
11,780 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
11,780 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB64.200 | THB64.20 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB64.20 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB64.200 |
| 10+ | THB40.790 |
| 100+ | THB26.980 |
| 500+ | THB21.170 |
| 1000+ | THB16.840 |
| 5000+ | THB16.320 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSISB46DN-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3470680RL
เทปตัด3470680
Product RangeTrenchFET IV Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel34A
Continuous Drain Current Id P Channel34A
Drain Source On State Resistance N Channel9700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9700µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
34A
Drain Source On State Resistance P Channel
9700µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
34A
Drain Source On State Resistance N Channel
9700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SISB46DN-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00008