พิมพ์หน้า
SIS862DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIS862DN-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2400398RL
เทปตัด2400398
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB73.890 | THB73.89 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB73.89 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB73.890 |
| 10+ | THB35.140 |
| 100+ | THB31.380 |
| 500+ | THB24.750 |
| 1000+ | THB19.880 |
| 5000+ | THB19.490 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIS862DN-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2400398RL
เทปตัด2400398
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance8500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SIS862DN-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch, synchronous rectification, DC-to-DC converter, boost converter and DC-to-AC inverters applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Communications & Networking
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SIS862DN-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000076