พิมพ์หน้า
SIR876BDP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIR876BDP-T1-RE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต53 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3765823RL
เทปตัด3765823
Product RangeTrenchFET Gen IV
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
507 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
507 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB60.230 | THB301.15 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB301.15 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB60.230 |
| 50+ | THB50.710 |
| 100+ | THB41.180 |
| 500+ | THB30.050 |
| 1500+ | THB29.450 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIR876BDP-T1-RE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต53 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3765823RL
เทปตัด3765823
Product RangeTrenchFET Gen IV
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id51.4A
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation71.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
N-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, power supplies and motor drive control.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001