พิมพ์หน้า
SIHS90N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 87 A, 0.029 ohm, Super-247, Through Hole
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 6 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB776.360 |
| 5+ | THB633.920 |
| 10+ | THB491.470 |
| 50+ | THB481.650 |
| 100+ | THB471.820 |
| 250+ | THB469.900 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB776.36
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHS90N65E-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต6 สัปดาห์
รหัสสินค้า3650275
Product RangeE
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleSuper-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
Super-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001