พิมพ์หน้า
SIHG28N65EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-247AC, Through Hole
50 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
50 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB297.630 |
| 10+ | THB189.470 |
| 100+ | THB152.520 |
| 500+ | THB128.660 |
| 1000+ | THB122.160 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB297.63
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHG28N65EF-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต35 สัปดาห์
รหัสสินค้า
EACH 4246964
EACH 4246964RL
Product RangeE Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001