พิมพ์หน้า
SIHG24N80AEF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Through Hole
222 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
222 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB203.590 |
| 10+ | THB107.300 |
| 100+ | THB97.970 |
| 500+ | THB94.300 |
| 1000+ | THB84.640 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB203.59
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHG24N80AEF-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต6 สัปดาห์
รหัสสินค้า3927789
Product RangeEF Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001