พิมพ์หน้า
SIHB21N80AE-T5-GE3
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB15.400 |
| 10+ | THB10.160 |
| 100+ | THB8.670 |
| 500+ | THB7.040 |
| 1000+ | THB6.300 |
| 5000+ | THB5.940 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB77.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHB21N80AE-T5-GE3สำเนา
รหัสสินค้า
เทปตัด4825535
เทปตัด4825535RL
Product RangeE Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17.4A
Drain Source On State Resistance0.235ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.4A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001