พิมพ์หน้า
SIHA21N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.176 ohm, TO-220FP, Through Hole
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 45 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB165.960 |
| 10+ | THB110.190 |
| 100+ | THB78.620 |
| 500+ | THB74.580 |
| 1000+ | THB74.250 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB165.96
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHA21N60EF-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต45 สัปดาห์
รหัสสินค้า2932908
Product RangeEF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.176ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.176ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SIHA21N60EF-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003