พิมพ์หน้า
SIHA12N60E-E3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHA12N60E-E3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต32 สัปดาห์
รหัสสินค้า2422227
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
746 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
746 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB116.580 |
| 10+ | THB56.110 |
| 25+ | THB52.760 |
| 50+ | THB49.400 |
| 100+ | THB46.040 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB116.58
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHA12N60E-E3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต32 สัปดาห์
รหัสสินค้า2422227
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SIHA12N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, PFC power supplies, adaptors, TV, game console and ATX power supply applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SIHA12N60E-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0004