พิมพ์หน้า
SI7923DN-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7923DN-T1-GE3สำเนา
รหัสสินค้า3126509
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7923DN-T1-GE3สำเนา
รหัสสินค้า3126509
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.4A
Continuous Drain Current Id P Channel6.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.075ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.075ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.3W
Power Dissipation P Channel1.3W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHC0
ตัวเลือกสำหรับ SI7923DN-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.075ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.3W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.075ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:0
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000157